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　　蝕刻是一種利用化學強酸腐蝕、機械拋光或電化學電解對物體表面進行處理的技術(shù)。除了增強美感之外，它還增加了對象的附加值。從傳統(tǒng)的金屬加工到高科技半導體制造，都在蝕刻技術(shù)的應用范圍之內(nèi)。下面小編要和大家分享關(guān)于鈦蝕刻前的清洗工藝以及技術(shù)類型的內(nèi)容，歡迎閱讀！

鈦蝕刻前的清洗工藝：

　　不銹鋼或其他金屬蝕刻前的工序是清洗處理，主要作用是去除材料表面的污垢、灰塵、油漬等。清洗工藝是保證后續(xù)薄膜或絲印油墨對金屬表面有良好附著力的關(guān)鍵。因此，必須徹底清除金屬蝕刻表面的油污和氧化膜。脫脂應根據(jù)工件的油污情況而定。建議在絲印油墨前進行電脫脂，以保證脫脂效果。除氧化膜外，還應根據(jù)金屬種類和膜厚選擇最佳蝕刻液，以保證表面清潔。絲網(wǎng)印刷前必須干燥。如果有水分。

蝕刻技術(shù)的類型：

　　濕蝕刻：

　　濕法蝕刻是將晶圓浸入合適的化學溶液中，或?qū)⒒瘜W溶液噴射到晶圓上進行淬火，通過溶液與被蝕刻物體的化學反應去除薄膜表面的原子，從而達到蝕刻的目的. 進行濕法刻蝕時，溶液中的反應物首先通過停滯邊界層擴散，然后到達晶片表面，發(fā)生化學反應，產(chǎn)生各種產(chǎn)物。蝕刻化學反應的產(chǎn)物是液相或氣相產(chǎn)物，然后這些產(chǎn)物通過邊界層擴散并溶解到主溶液中。濕法蝕刻不僅會在垂直方向蝕刻，還會有水平蝕刻效果。

　　干蝕刻：

　　干蝕刻通常是等離子蝕刻或化學蝕刻的一種。由于蝕刻效果的不同，等離子體中離子的物理原子、活性自由基的化學反應以及器件（晶圓）的表面原子，或兩者的結(jié)合，包括以下內(nèi)容：

　　物理蝕刻：濺射蝕刻、離子束蝕刻

　　化學蝕刻：等離子蝕刻

　　物理化學復合蝕刻：反應離子蝕刻（RIE）

　　干蝕刻是一種各向異性蝕刻，具有良好的方向性，但選擇性比濕蝕刻差。在等離子體蝕刻中，等離子體是一種部分離解的氣體，氣體分子被離解成電子、離子和其他具有高化學活性的物質(zhì)。干蝕刻的優(yōu)點是“ 各向異性蝕刻”。然而，（自由基）干蝕刻的選擇性低于濕蝕刻。這是因為干蝕刻的蝕刻機理是物理相互作用；因此，離子的沖擊不僅可以去除蝕刻膜，還可以去除光刻膠掩模。

　　感謝閱讀，以上就是對鈦蝕刻前的清洗工藝以及技術(shù)類型的介紹，部分內(nèi)容來自網(wǎng)絡(luò)，僅供參考。如果您想了解更多有關(guān)鈦蝕刻的詳細事宜，歡迎致電詳詢，竭誠為您服務(wù)。